石英坩堝
石英坩堝是由高純度熔融石英製成的容器，專為承受晶體生長、金屬熔煉和高溫化學過程中的極端溫度和熱衝擊而設計。它們是直拉法矽單晶生長、太陽能多晶鑄錠和實驗室分析的關鍵組件。買家在下單前需要明確應用類型、內徑、壁厚和原料純度。
## 買家為何從這裡開始
石英坩堝是半導體和光伏行業的關鍵耗材。在直拉法（CZ）矽晶體生長中，坩堝直接接觸1,400°C以上的熔融矽——坩堝壁的任何雜質滲出都會降低晶體質量。
## 需要核實的關鍵指標
| 指標 | 典型範圍 | 重要原因 |
|------|---------|---------|
| SiO₂純度 | ≥ 99.99% | 雜質會污染熔融矽 |
| 工作溫度 | 最高1,300°C（連續） | 必須承受長時間接觸熔融矽 |
| 內徑 | 2"–32"（50–800mm） | 必須匹配設備規格 |
| 壁厚 | 3–15mm | 影響溫度均勻性和結構完整性 |
## 按應用分類的坩堝類型
**直拉法（CZ）坩堝**用於半導體和太陽能電池製造中的單晶矽錠拉製。需要最高純度。
**太陽能鑄錠坩堝**用於多晶矽的定向凝固。常見尺寸為方形690×690mm至890×890mm。
**實驗室坩堝**較小的容器（2"–6"直徑），用於分析化學和小批量熔煉。
## 常見應用
- 半導體晶體生長：直拉法生長單晶矽錠
- 太陽能電池生產：多晶矽鑄錠
- 實驗室分析：灰分測試和重量分析
- 金屬熔煉：貴金屬和高純度合金
## 詢價前需要明確的信息
告知具體應用、所需內徑和壁厚、純度等級以及預期月用量。
買家擔憂
- 原料純度等級
- 尺寸精度
- 抗熱震性
- 表面光潔度
採購考慮因素
- 明確應用：晶體生長、太陽能或實驗室用途
- 確認內徑和壁厚要求
- 核實原料SiO₂純度（≥99.99%）